BSM180D12P3C007
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13 шт., срок 6-8 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
136 500 руб.
от 12 шт. —
131 300 руб.
1 шт.
на сумму 136 500 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Описание НПН-коп. 50В 0,1А 0,2Вт СОТ22 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
Технические параметры
| Channel Type | Dual N Channel |
| Power Dissipation | 880Вт |
| Конфигурация МОП-транзистора | Half Bridge |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 180А |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5.6В |
| Рассеиваемая Мощность | 880Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 180 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5.6V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 880 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.7V |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | C |
| Pin Count | 4 |
| Series | BSM |
| Transistor Material | SiC |
| Width | 45.6mm |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
