CSD25202W15T
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
370 руб.
от 10 шт. —
280 руб.
от 100 шт. —
200 руб.
от 250 шт. —
185.06 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 370 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
P-канал 20V 4A (Ta) 500 мВт (Ta) поверхностный монтаж 9-DSBGA
Технические параметры
Base Product Number | CSD25202W15 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4A (Ta) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | P-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1010pF @ 10V |
Manufacturer Product Page | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | 9-UFBGA, DSBGA |
Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 2A, 4.5V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | RoHS non-compliant |
Series | NexFETв„ў -> |
Supplier Device Package | 9-DSBGA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | -6V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.05V @ 250ВµA |
Вес, г | 7 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов