IGW25N120H3FKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 550 руб.
от 30 шт. —
1 060 руб.
от 120 шт. —
846 руб.
от 510 шт. —
700.10 руб.
1 шт.
на сумму 1 550 руб.
Плати частями
от 389 руб. × 4 платежа
от 389 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор БТИЗ IGW25N120H3FKSA1 от производителя INFINEON обладает внушительными характеристиками для эффективного использования в сфере электроники. Модель монтируется методом THT, что облегчает интеграцию в электрические цепи. С током коллектора до 50 А и напряжением коллектор-эмиттер в 1 200 В, этот мощный транзистор IGBT способен управлять высокими нагрузками, имея при этом мощность до 326 Вт. Корпус PG-TO247-3 обеспечивает надежную защиту компонентов и удобство монтажа. Продукт IGW25N120H3FKSA1 станет незаменимым элементом в разработке мощных электронных устройств. Наши специалисты всегда готовы помочь с выбором подходящих компонентов, включая IGW25N120H3FKSA1, для реализации ваших технических задач. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
| Монтаж | THT |
| Ток коллектора, А | 50 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 1200 |
| Мощность, Вт | 326 |
| Корпус | PG-TO247-3 |
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 326 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Другие названия товара № | IGW25N12H3XK SP000674424 IGW25N120H3FKSA1 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.05 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 50 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 240 |
| Серия | HighSpeed 3 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 600 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Brand | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1200 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.05 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C | 50 A |
| Factory Pack Quantity | 240 |
| Gate-Emitter Leakage Current | 600 nA |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -40 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Part # Aliases | IGW25N120H3FKSA1 IGW25N12H3XK SP000674424 |
| Pd - Power Dissipation | 326 W |
| Product Category | IGBT Transistors |
| RoHS | Details |
| Series | HighSpeed 3 |
| Technology | Si |
| Tradename | TRENCHSTOP |
| Unit Weight | 1.340411 oz |
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
| Maximum Power Dissipation | 326 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Switching Speed | 1MHz |
| Transistor Configuration | Single |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IGW25N120H3
pdf, 2020 КБ
Datasheet IGW25N120H3FKSA1
pdf, 2313 КБ
Документация
pdf, 2033 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
