Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › Ixys › IXYN50N170CV1

IXYN50N170CV1

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

12 400 руб.

1 шт. на сумму 12 400 руб.

Плати частями
от 3 100 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8006104325

Бренд: Ixys Corporation

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Single

IGBT 1700V 120A 880W Chassis Mount SOT-227B

Технические параметры

California Prop 65	Warning Information
Current - Collector (Ic) (Max)	120A
Current - Collector Pulsed (Icm)	485A
ECCN	EAR99
Gate Charge	260nC
HTSUS	8541.29.0095
Input Type	Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Chassis Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	SOT-227-4, miniBLOC
Power - Max	880W
REACH Status	REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)	255ns
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	XPTв„ў ->
Supplier Device Package	SOT-227B
Switching Energy	8.7mJ (on), 5.6mJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C	22ns/236ns
Test Condition	850V, 50A, 1Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.7V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1700V
Pd - рассеивание мощности:	880 W
Вид монтажа:	SMD/SMT
Конфигурация:	Single
Максимальная рабочая температура:	+175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:	20 V
Минимальная рабочая температура:	-55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:	1700 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:	2.8 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C:	120 A
Подкатегория:	IGBTs
Производитель:	IXYS
Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки:	10
Технология:	Si
Тип продукта:	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер:	100 nA
Торговая марка:	IXYS
Упаковка / блок:	SOT-227B-4
Упаковка:	Tube