R6020JNXC7G
![Фото 1/2 R6020JNXC7G](https://static.chipdip.ru/lib/816/DOC006816934.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/094/DOC010094780.jpg)
1930 шт., срок 6-8 недель
580 руб.
от 50 шт. —
410 руб.
от 100 шт. —
330 руб.
от 500 шт. —
278.24 руб.
1 шт.
на сумму 580 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N-канал 600V 20A (Tc) 76W (Tc) сквозное отверстие TO-220FM
Технические параметры
Base Product Number | R6020 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 20A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 15V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 100V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Power Dissipation (Max) | 76W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 234mOhm @ 10A, 15V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | TO-220FM |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±30V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 7V @ 3.5mA |
Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
Pd - рассеивание мощности | 76 W |
Qg - заряд затвора | 45 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 234 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 22 ns |
Время спада | 13 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | PrestoMOS |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | BM14270MUV-LB |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 56 ns |
Типичное время задержки при включении | 29 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.18Ом |
Power Dissipation | 76Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
Непрерывный Ток Стока | 20А |
Пороговое Напряжение Vgs | 6В |
Рассеиваемая Мощность | 76Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.18Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FM |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet R6020JNXC7G
pdf, 2407 КБ
Datasheet R6020JNXC7G
pdf, 2434 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.