CSD19536KCS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 380 руб.

от 50 шт. — 880 руб.

от 100 шт. — 753 руб.

от 500 шт. — 622.58 руб.

1 шт. на сумму 1 380 руб.

Плати частями
от 345 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8006124003

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 150А, 375Вт, TO220-3, NexFET™ Характеристики

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	259 A
Maximum Drain Source Resistance	3.2 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	3.2V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	375 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2.1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220
Pin Count	3
Series	NexFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	118 nC @ 10 V
Width	4.7mm

pdf, 1680 КБ

Мы рекомендуем