IXYH60N90C3

Фото 1/2 IXYH60N90C3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 780 руб.
от 30 шт.1 950 руб.
от 120 шт.1 620 руб.
1 шт. на сумму 2 780 руб.
Плати частями
от 695 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8006142119
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Single
Описание Транзистор: IGBT, GenX3™, 900В, 60А, 750Вт, TO247-3 Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT

Технические параметры

California Prop 65 Warning Information
Current - Collector (Ic) (Max) 140A
Current - Collector Pulsed (Icm) 310A
ECCN EAR99
Gate Charge 107nC
HTSUS 8541.29.0095
Input Type Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power - Max 750W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series GenX3в„ў, XPTв„ў ->
Supplier Device Package TO-247AD
Switching Energy 2.7mJ (on), 1.55mJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C 30ns/87ns
Test Condition 450V, 60A, 3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V
Вид монтажа Through Hole
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение XPT
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 900 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 140 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 30
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3

Техническая документация

Datasheet IXYH60N90C3
pdf, 155 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов