EM6K1T2R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25864 шт., срок 6-8 недель
140 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
2 шт.
на сумму 280 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30 В 100 мА 150 мВт EMT6 для поверхностного монтажа
Технические параметры
| Base Product Number | *K1 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 100mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13pF @ 5V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Power - Max | 150mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 10mA, 4V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | EMT6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 8 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Power Dissipation | 120 mW |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | EMT |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Transistor Material | Si |
| Width | 1.2mm |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
