IGW30N65L5XKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 140 руб.
от 30 шт. —
780 руб.
от 120 шт. —
623 руб.
от 510 шт. —
515.19 руб.
1 шт.
на сумму 1 140 руб.
Плати частями
от 285 руб. × 4 платежа
от 285 руб. × 4 платежа
Описание
The Infineon fifth generation insulated-gate bipolar transistor with low saturation voltage. High Efficiency
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 85 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30 V |
| Maximum Power Dissipation | 227 W |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Pin Count | 3 |
Техническая документация
Datasheet IGW30N65L5XKSA1
pdf, 1617 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
