BC856BT TR PBFREE

BC856BT TR PBFREE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
16178 шт., срок 6-8 недель
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт.99 руб.
от 100 шт.55 руб.
от 500 шт.47.05 руб.
2 шт. на сумму 260 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8006169120

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Биполярный (BJT) транзистор PNP 65V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount SOT-523

Технические параметры

Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 100MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case SC-89, SOT-490
Power - Max 250mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-523
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V
Brand: Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO: 80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 65 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 650 mV
Configuration: Single
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Gain Bandwidth Product fT: 200 MHz
Manufacturer: Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current: 100 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Pd - Power Dissipation: 330 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: PNP

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.