RQ5E035ATTCL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
112975 шт., срок 6-8 недель
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
93 руб.
от 100 шт. —
52 руб.
от 500 шт. —
44.44 руб.
2 шт.
на сумму 260 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
P-канал 30 В 3,5 А (Ta) 1 Вт (Ta) Монтаж на поверхность TSMT3
Технические параметры
| Base Product Number | RQ5E035 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 475pF @ 15V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | SC-96 |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 3.5A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
| Supplier Device Package | TSMT3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 20 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.5 A |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-346-3 |
| Part # Aliases: | RQ5E035AT |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 10 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 38 mOhms |
| Rise Time: | 12 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
