RGTH60TS65GC11
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 шт., срок 6-8 недель
350 руб.
1 шт.
на сумму 350 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Single
IGBT Trench Field Stop 650V 58A 197W сквозное отверстие TO-247N
Технические параметры
| Base Product Number | RGTH60 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 58A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
| ECCN | EAR99 |
| Gate Charge | 58nC |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/power/inn |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power - Max | 197W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Td (on/off) @ 25В°C | 27ns/105ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
| Pd - рассеивание мощности | 194 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Диапазон рабочих температур | 40 C to + 175 C |
| Другие названия товара № | RGTH60TS65 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 30 A |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 58 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 58 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 450 |
| Серия | RGTH60TS65 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 200 nA |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet RGTH60TS65GC11
pdf, 1014 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
