FF450R12KE4EHOSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
43 970 руб.
от 10 шт. —
35 870 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 43 970 руб.
Плати частями
от 10 994 руб. × 4 платежа
от 10 994 руб. × 4 платежа
Описание
The Infineon IGBT module is a 62mm module with fast TRENCHSTOP ™ IGBT4 and emitter controlled HE diode.
Технические параметры
| Configuration | Common Emitter |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 450 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 2.4 kW |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Package Type | CTI |
| Pin Count | 7 |
| Вес, г | 15 |
Техническая документация
Datasheet FF450R12KE4EHOSA1
pdf, 600 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
