IGW75N60TFKSA1

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 740 руб.

от 30 шт. — 1 190 руб.

от 120 шт. — 950 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 740 руб.

Плати частями
от 435 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8006192826

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 75A

Pd - рассеивание мощности	428 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	IGW75N60T SP000054927
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	150 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	240
Серия	Trenchstop IGBT3
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Continuous Collector Current	150 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	428 W
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single