CAB450M12XM3, Discrete Semiconductor Modules SiC HalfBridgeModule 1.2kV 450A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
69 шт., срок 5-7 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
191 100 руб.
от 10 шт. —
184 400 руб.
1 шт.
на сумму 191 100 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Discrete Semiconductor Modules
High Power Density Footprint High Temperature (175 °C) Operation Low Inductance (6.7 nH) Design Implements Conduction-Optimized Third Generation MOSFET Technology
Технические параметры
| Maximum Drain Source Resistance | 4.6 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -4 V, 19 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.6V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 50 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Transistor Material | SiC |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1330 nC @ 4/15V |
| Width | 53mm |
| Вес, г | 805 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 886 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
