IXGH6N170, IGBTs 12 Amps 1700 V 4 V Rds

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 850 руб.

от 10 шт. — 2 320 руб.

от 30 шт. — 1 970 руб.

от 120 шт. — 1 680.42 руб.

1 шт. на сумму 2 850 руб.

Плати частями
от 714 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8006208935

Артикул: IXGH6N170

Unclassified

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.

Channel Type	N
Maximum Collector Emitter Voltage	1700 V
Maximum Continuous Collector Current	6 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-247AD
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Вес, г	6.5