AS4C512M8D4-83BIN, DRAM DDR4, 4G, 512M x 8, 1.2V, 78-Ball FBGA, 1200MHZ, Industrial Temp - Tray

AS4C512M8D4-83BIN, DRAM DDR4, 4G, 512M x 8, 1.2V, 78-Ball FBGA, 1200MHZ, Industrial Temp - Tray
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3 120 руб.
от 10 шт.2 750 руб.
от 25 шт.2 240 руб.
от 100 шт.2 048.14 руб.
1 шт. на сумму 3 120 руб.
Плати частями
от 780 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8006210990
Артикул: AS4C512M8D4-83BIN

Описание

Semiconductors\Memory ICs\DRAM
SDRAM - ИС памяти DDR4 4 Гб (512 МБ x 8) Параллельный 1,2 ГГц 18 нс 78-FBGA (7,5 x 10,6)

Технические параметры

Access Time 18ns
Clock Frequency 1.2GHz
Memory Format DRAM
Memory Interface Parallel
Memory Size 4Gb (512M x 8)
Memory Type Volatile
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40В°C ~ 95В°C (TC)
Package Tray
Package / Case 78-TFBGA
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 78-FBGA (7.5x10.6)
Technology SDRAM - DDR4
Voltage - Supply 1.14V ~ 1.26V
Write Cycle Time - Word, Page 15ns
Data Bus Width 8bit
Data Rate 1200MHz
Maximum Operating Temperature 95 °C
Minimum Operating Temperature -40 °C
Organisation 512M x 8
Package Type 78-ball FBGA
SDRAM Class DDR4

Техническая документация

Datasheet AS4C512M8D4-83BCN
pdf, 4535 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем