R6008ANX, MOSFETs Trans MOSFET N-CH 600V 8A
![R6008ANX, MOSFETs Trans MOSFET N-CH 600V 8A](https://static.chipdip.ru/lib/516/DOC006516946.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
477 шт., срок 5-7 недель
860 руб.
от 10 шт. —
680 руб.
от 25 шт. —
626 руб.
от 100 шт. —
486.58 руб.
1 шт.
на сумму 860 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
МОП-транзистор Trans МОП-транзистор N-CH 600V 8A
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
Pd - рассеивание мощности | 50 W |
Qg - заряд затвора | 21 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 800 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 25 ns |
Время спада | 35 ns |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.5 S |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 60 ns |
Типичное время задержки при включении | 25 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet R6008ANX
pdf, 6358 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.