IXYH30N120C3, IGBT Transistors 1200V XPT GenX3 IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 130 руб.
от 10 шт. —
1 790 руб.
от 30 шт. —
1 490 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 130 руб.
Плати частями
от 534 руб. × 4 платежа
от 534 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Описание Транзистор: IGBT, GenX3™, 1,2кВ, 30А, 500Вт, TO247-3 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 75 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 500 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Switching Speed | 50kHz |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 38 |
