IKW50N65H5FKSA1, IGBTs IGBT PRODUCTS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 310 руб.
от 10 шт. —
1 180 руб.
от 25 шт. —
858 руб.
1 шт.
на сумму 1 310 руб.
Плати частями
от 329 руб. × 4 платежа
от 329 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Описание Транзистор БТИЗ IKW50N65H5FKSA1 от производителя INFINEON — это высокопроизводительный IGBT транзистор, предназначенный для мощных применений. Устройство обладает током коллектора в 50 А и напряжением коллектор-эмиттер до 650 В, что обеспечивает эффективное управление энергией в силовой электронике. Мощность данного компонента составляет 305 Вт, что позволяет использовать его в сложных промышленных системах. Транзистор имеет корпус PG-TO247-3, предназначенный для монтажа THT, что облегчает его интеграцию в печатные платы. Продукт IKW50N65H5FKSA1 характеризуется высокой надежностью и длительным сроком службы, что делает его идеальным выбором для разработчиков силовой электроники. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
| Монтаж | THT |
| Ток коллектора, А | 50 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 650 |
| Мощность, Вт | 305 |
| Корпус | PG-TO247-3 |
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.65 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | IKW50N65H5 SP001001734 |
| Pd - Power Dissipation: | 305 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | Trenchstop IGBT5 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | TRENCHSTOP |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 305 W |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Вес, г | 38 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2174 КБ
Datasheet IKW50N65H5
pdf, 2249 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
