R6015ENJTL, MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
![R6015ENJTL, MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/787/DOC016787134.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
833 шт., срок 5-7 недель
1 110 руб.
от 10 шт. —
870 руб.
от 25 шт. —
787 руб.
от 100 шт. —
631.82 руб.
1 шт.
на сумму 1 110 руб.
Плати частями
от 279 руб. × 4 платежа
от 279 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Silicon Power MOSFETsROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.
Технические параметры
Brand: | ROHM Semiconductor |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 45 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 15 A |
Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-263-3 |
Part # Aliases: | R6015ENJ |
Pd - Power Dissipation: | 184 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 40 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 260 mOhms |
Rise Time: | 55 ns |
Series: | Super Junction-MOS EN |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 105 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Вес, г | 3.95 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.