RGT8NL65DGTL, IGBTs RGT8NL65D is a Field Stop Trench IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for General Inverter, UP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
980 шт., срок 5-7 недель
580 руб.
от 10 шт. —
430 руб.
от 100 шт. —
343 руб.
от 250 шт. —
311.19 руб.
1 шт.
на сумму 580 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Unclassified
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 8А |
Power Dissipation | 65Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RGT8NL65DGTL
pdf, 1206 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.