R6009JNJGTL, MOSFETs R6009JNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

R6009JNJGTL, MOSFETs R6009JNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1000 шт., срок 5-7 недель
810 руб.
от 10 шт.640 руб.
от 25 шт.596 руб.
от 100 шт.459.95 руб.
1 шт. на сумму 810 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8006219094
Артикул: R6009JNJGTL
Бренд: Rohm

Описание

Unclassified

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.45Ом
Power Dissipation 125Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 15В
Напряжение Истока-стока Vds 600В
Непрерывный Ток Стока
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 125Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.45Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-263S
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet R6009JNJGTL
pdf, 2210 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.