IKFW50N65EH5XKSA1, IGBTs Y
![IKFW50N65EH5XKSA1, IGBTs Y](https://static.chipdip.ru/lib/484/DOC035484046.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 300 руб.
от 10 шт. —
1 870 руб.
от 25 шт. —
1 700 руб.
от 100 шт. —
1 355.03 руб.
1 шт.
на сумму 2 300 руб.
Плати частями
от 575 руб. × 4 платежа
от 575 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 59А |
Power Dissipation | 124Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | HSIP247 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IKFW50N65EH5XKSA1
pdf, 1511 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов