R6011KNJTL, MOSFETs Nch 600V 11A Si MOSFET

R6011KNJTL, MOSFETs Nch 600V 11A Si MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2472 шт., срок 5-7 недель
670 руб.
от 10 шт.470 руб.
от 100 шт.396 руб.
от 250 шт.355.86 руб.
1 шт. на сумму 670 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8006222731
Артикул: R6011KNJTL
Бренд: Rohm

Описание

Unclassified
МОП-транзистор Nch 600V 11A Si МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 11 A
Pd - рассеивание мощности 124 W
Qg - заряд затвора 22 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 340 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 25 ns
Время спада 20 ns
Другие названия товара № R6011KNJ
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 2.9 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия Super Junction-MOS KN
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 40 ns
Типичное время задержки при включении 20 ns
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок TO-263-3
Вес, г 2.2

Техническая документация

Datasheet R6011KNJTL
pdf, 1221 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.