R6011KNJTL, MOSFETs Nch 600V 11A Si MOSFET
![R6011KNJTL, MOSFETs Nch 600V 11A Si MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/531/DOC006531971.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2472 шт., срок 5-7 недель
670 руб.
от 10 шт. —
470 руб.
от 100 шт. —
396 руб.
от 250 шт. —
355.86 руб.
1 шт.
на сумму 670 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
МОП-транзистор Nch 600V 11A Si МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 11 A |
Pd - рассеивание мощности | 124 W |
Qg - заряд затвора | 22 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 340 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 25 ns |
Время спада | 20 ns |
Другие названия товара № | R6011KNJ |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.9 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | Super Junction-MOS KN |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 40 ns |
Типичное время задержки при включении | 20 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Вес, г | 2.2 |
Техническая документация
Datasheet R6011KNJTL
pdf, 1221 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.