C2M0045170P, SiC MOSFETs DMOSFET 1.7kV 45mOHMS 4PLUS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
856 шт., срок 5-7 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
29 430 руб.
от 30 шт. —
22 320 руб.
1 шт.
на сумму 29 430 руб.
Плати частями
от 7 359 руб. × 4 платежа
от 7 359 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.045Ом |
| Power Dissipation | 520Вт |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Линейка Продукции | C2M |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.7кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 72А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.6В |
| Рассеиваемая Мощность | 520Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.045Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 Plus |
| Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet C2M0045170P
pdf, 1193 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
