IXYH30N170C, IGBTs 1700V/108A High Voltage XPT IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 020 руб.
от 30 шт. —
3 000 руб.
от 60 шт. —
2 690 руб.
от 120 шт. —
2 533.99 руб.
1 шт.
на сумму 4 020 руб.
Плати частями
от 1 005 руб. × 4 платежа
от 1 005 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
IXYS XPT (eXtreme-light Punch Through) IGBTs with current ratings ranging from 29A to 178A, are well-suited for high-voltage, high-speed power conversion applications.
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 1700 V |
Maximum Continuous Collector Current | 100 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 937 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | TO247AD |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 6.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IXYH30N170CV1
pdf, 197 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов