RGT8NS65DGC9, IGBTs ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-current

RGT8NS65DGC9, IGBTs ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-current
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
974 шт., срок 5-7 недель
600 руб.
от 10 шт.460 руб.
от 100 шт.356 руб.
от 250 шт.330.34 руб.
1 шт. на сумму 600 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8006232860
Артикул: RGT8NS65DGC9
Бренд: Rohm

Описание

Unclassified

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.65В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current
Power Dissipation 65Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора TO-262
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet RGT8NS65DGC9
pdf, 894 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.