R6007ENX, MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
418 шт., срок 5-7 недель
690 руб.
от 10 шт. —
540 руб.
от 100 шт. —
407 руб.
1 шт.
на сумму 690 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 10V Drive Nch МОП-транзистор
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 7 A |
| Pd - рассеивание мощности | 46 W |
| Qg - заряд затвора | 20 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 570 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 25 ns |
| Время спада | 35 ns |
| Другие названия товара № | R6007ENX |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | Super Junction-MOS EN |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 70 ns |
| Типичное время задержки при включении | 25 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Base Product Number | R6007 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 390pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620mOhm @ 2.4A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.5V |
| Maximum Continuous Drain Current | 7 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.2 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 46 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220FM |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Width | 4.8mm |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 114 КБ
Datasheet R6007ENX
pdf, 1914 КБ
Datasheet R6007ENX
pdf, 1541 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
