IKW40N65RH5XKSA1, IGBTs Y

Фото 1/2 IKW40N65RH5XKSA1, IGBTs Y
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 640 руб.
от 10 шт.1 360 руб.
от 25 шт.1 240 руб.
от 100 шт.991.02 руб.
1 шт. на сумму 1 640 руб.
Плати частями
от 410 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8006235070
Артикул: IKW40N65RH5XKSA1

Описание

Unclassified
The Infineon schottky barrier diode has ultra low switching losses due to the combination of TRENCHSTOPTM5 and CoolSiCTM technology.

Технические параметры

Configuration Single
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
Maximum Continuous Collector Current 40 A
Maximum Gate Emitter Voltage 15V
Maximum Power Dissipation 250 W
Number of Transistors 2
Package Type PG-TO247-3
Collector Emitter Saturation Voltage 1.65В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 74А
Power Dissipation 250Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора TO-247
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet IKW40N65RH5XKSA1
pdf, 1559 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов