MMBFU310LT1G, JFETs 25V 10mA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
от 10 шт. —
80 руб.
от 100 шт. —
43 руб.
от 1000 шт. —
27.43 руб.
1 шт.
на сумму 110 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 225 мВт
Технические параметры
| Drain Current (Idss@Vds,Vgs=0) | 24mA@10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate-Source Breakdown Voltage (V(BR)GSS) | 25V |
| Gate-Source Cutoff Voltage (VGS(off)@ID) | 2.5V@1nA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 5pF@10V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Static Drain-Source On Resistance (RDS(on)) | - |
| Total Device Dissipation (Pd) | 225mW |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet MMBFU310LT1G
pdf, 166 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
