IGW100N60H3, IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
![IGW100N60H3, IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517016.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 330 руб.
от 10 шт. —
2 120 руб.
от 25 шт. —
1 760 руб.
от 100 шт. —
1 377.32 руб.
1 шт.
на сумму 2 330 руб.
Плати частями
от 584 руб. × 4 платежа
от 584 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 714 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Другие названия товара № | SP000913772 IGW1N6H3XK IGW100N60H3FKSA1 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.85 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 140 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 240 |
Серия | HighSpeed 3 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet IGW100N60H3
pdf, 2167 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов