IKB20N60H3, IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
470 руб.
от 10 шт. —
400 руб.
от 100 шт. —
325 руб.
от 500 шт. —
277.68 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 470 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
600V & 1200V Trenchstop™ Performance Series IGBTsInfineon Technologies 600V and 1200V Trenchstop™ Performance Series IGBTs (Insulated-Gate Bipolar Transistors) combine Trench top-cell and field stop concept leads to significantly improved static and dynamic performance. A combination of IGBTs with a soft recovery Emitter Controlled-Diode further minimizes turn-on losses. A compromise between switching and conduction losses allows for high efficiency.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.95 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 40 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Part # Aliases: | SP000852234 IKB2N6H3XT IKB20N60H3ATMA1 |
| Pd - Power Dissipation: | 170 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | Trenchstop IGBT3 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | TRENCHSTOP |
| Вес, г | 2.2 |
Техническая документация
Datasheet IKB20N60H3
pdf, 1756 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
