IXA60IF1200NA, IGBT Modules XPT IGBT Copack
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 440 руб.
от 10 шт. —
9 240 руб.
от 20 шт. —
8 090 руб.
от 50 шт. —
7 815.92 руб.
1 шт.
на сумму 11 440 руб.
Плати частями
от 2 860 руб. × 4 платежа
от 2 860 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
The XPT™ range of discrete IGBTs from IXYS feature Extreme-light Punch-Through thin wafer technology, resulting in reduced thermal resistance and lower energy losses.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 88 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +125 °C |
| Maximum Power Dissipation | 290 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | SOT-227B |
| Pin Count | 4 |
| Transistor Configuration | Single |
| Case | SOT227B |
| Collector current | 56A |
| Electrical mounting | screw |
| Features of semiconductor devices | high voltage |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Manufacturer | IXYS |
| Max. off-state voltage | 1.2kV |
| Mechanical mounting | screw |
| Power dissipation | 290W |
| Pulsed collector current | 150A |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Technology | XPT™ |
| Type of module | IGBT |
| Вес, г | 37.6 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
