C3M0030090K, SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 30mOhm
см. техническую документацию
от 2 914 руб. × 4 платежа
Описание
The C3M0030090K is a silicon carbide power MOSFET using C3M MOSFET technology in 4 pin TO-247 package. It features 900V drain to source voltage and 63A continuous drain current at VGS = 15V, TC = 25˚C. Typical applications include solar inverters, EV battery chargers, High voltage DC/DC converters and switch mode power supplies.
• Optimized package with separate driver source pin
• 8mm of creepage distance between drain and source
• High blocking voltage with low on-resistance
• High-speed switching with low capacitances
• Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr)
• Reduce switching losses and minimize gate ringing
• Higher system efficiency Reduce cooling requirements
• Increased power density and system switching frequency
• Operating junction and storage temperature from -55 to +150˚C
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.03Ом |
Power Dissipation | 149Вт |
Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
Конфигурация МОП-транзистора | Single |
Линейка Продукции | C3M |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
Напряжение Истока-стока Vds | 900В |
Непрерывный Ток Стока | 63А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.4В |
Рассеиваемая Мощность | 149Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.03Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Continuous Drain Current | 63 A |
Maximum Drain Source Resistance | 30 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 900 V |
Maximum Gate Source Voltage | -8 V, 19 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 149 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.7V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247-4 |
Pin Count | 4 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | SiC |
Typical Gate Charge @ Vgs | 87 nC @ 4/15V |
Width | 5.21mm |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.