Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › Infineon › FS660R08A6P2FBBPSA1, IGBT Modules HYBRID PACK ...

FS660R08A6P2FBBPSA1, IGBT Modules HYBRID PACK DRIVE G1 SI

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

99 410 руб.

от 12 шт. — 89 180 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 99 410 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8006244950

Артикул: FS660R08A6P2FBBPSA1

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK DRIVE

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	1053 W
Вид монтажа	Screw Mount
Другие названия товара №	FS660R08A6P2FB SP001632426
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Коммерческое обозначение	HybridPACK
Конфигурация	6-Pack
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	750 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.1 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	450 A
Подкатегория	IGBTs
Продукт	IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки	6
Серия	IGBT EDT2
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер	400 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tray
Collector Emitter Saturation Voltage	1.1В
Collector Emitter Voltage Max	750В
Continuous Collector Current	450А
DC Ток Коллектора	450А
Power Dissipation	1.053кВт
Выводы БТИЗ	Press Fit
Конфигурация БТИЗ	Six Pack(Full Bridge)
Линейка Продукции	HybridPACK
Максимальная Температура Перехода Tj	175°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	750В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.1В
Рассеиваемая Мощность	1.053кВт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT EDT2(Trench/Field Stop)
Вес, г	600