RD3P130SPFRATL, MOSFETs Pch -100V Vdss -13A TO-252(DPAK); TO-252
![Фото 1/2 RD3P130SPFRATL, MOSFETs Pch -100V Vdss -13A TO-252(DPAK); TO-252](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172284.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/971/DOC022971506.jpg)
9639 шт., срок 5-7 недель
530 руб.
от 10 шт. —
400 руб.
от 100 шт. —
311 руб.
от 250 шт. —
278.39 руб.
1 шт.
на сумму 530 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
The Rohm power MOSFET featured with low on resistance and fast switching speed. It has easy parallel use and low on resistance.
Технические параметры
Channel Type | P Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.135Ом |
Power Dissipation | 20Вт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
Непрерывный Ток Стока | 13А |
Полярность Транзистора | P Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
Рассеиваемая Мощность | 20Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.135Ом |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Maximum Continuous Drain Current | 13 A |
Maximum Drain Source Resistance | 200 mO |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Series | RD3 |
Вес, г | 0.4625 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1569 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.