IKW50N65RH5XKSA1, IGBTs Y

IKW50N65RH5XKSA1, IGBTs Y
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 740 руб.
от 10 шт.1 470 руб.
от 25 шт.1 290 руб.
от 100 шт.1 103.52 руб.
1 шт. на сумму 1 740 руб.
Плати частями
от 435 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8006247867
Артикул: IKW50N65RH5XKSA1

Описание

Unclassified
The Infineon TRENCHSTOP5 H5 IGBT co-packed with half-rated 6th generation CoolSiCTM schottky barrier diode.

Технические параметры

Configuration Single
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
Maximum Continuous Collector Current 50 A
Maximum Gate Emitter Voltage 15V
Maximum Power Dissipation 305 W
Number of Transistors 2
Package Type PG-TO247-3
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet IKW50N65RH5XKSA1
pdf, 1563 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов