R6007JNXC7G, MOSFETs R6007JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
![R6007JNXC7G, MOSFETs R6007JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.](https://static.chipdip.ru/lib/094/DOC010094781.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2308 шт., срок 5-7 недель
550 руб.
от 50 шт. —
400 руб.
от 100 шт. —
327 руб.
1 шт.
на сумму 550 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.6Ом |
Power Dissipation | 46Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
Непрерывный Ток Стока | 7А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 6В |
Рассеиваемая Мощность | 46Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.6Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FM |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet R6007JNXC7G
pdf, 2169 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.