QH8JA1TCR, MOSFETs 20V Pch+Pch Si MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1413 шт., срок 5-7 недель
260 руб.
от 10 шт. —
180 руб.
от 100 шт. —
144 руб.
от 500 шт. —
114.75 руб.
1 шт.
на сумму 260 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 20V Pch+Pch Si МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
Qg - заряд затвора | 10.2 nC, 10.2 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 28 mOhms, 28 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 32 ns, 32 ns |
Время спада | 65 ns, 65 ns |
Другие названия товара № | QH8JA1 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 2 Channel |
Конфигурация | Dual |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5.5 S, 5.5 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | P-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 2 P-Channel |
Типичное время задержки выключения | 70 ns, 70 ns |
Типичное время задержки при включении | 11 ns, 11 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | TSMT-8 |
Brand | ROHM Semiconductor |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | 2 P-Channel |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Fall Time | 65 ns, 65 ns |
Forward Transconductance - Min | 5.5 S, 5.5 S |
Id - Continuous Drain Current | -5 A |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 2 Channel |
Package / Case | TSMT-8 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 1.5 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 10.2 nC, 10.2 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 28 mOhms, 28 mOhms |
Rise Time | 32 ns, 32 ns |
RoHS | Details |
Technology | Si |
Transistor Polarity | P-Channel |
Transistor Type | 2 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 70 ns, 70 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 11 ns, 11 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -20 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | +/-10 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -1.2 V |
Техническая документация
Документация
pdf, 1633 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.