C3M0280090J-TR, SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 280 mOhm
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
259 шт., срок 5-7 недель
1 590 руб.
от 10 шт. —
1 260 руб.
от 25 шт. —
1 220 руб.
от 100 шт. —
986.23 руб.
1 шт.
на сумму 1 590 руб.
Плати частями
от 399 руб. × 4 платежа
от 399 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Quint Source |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Material | SiC |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 11 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 360@15V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 900 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 250 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 18 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3.5 |
| Maximum IDSS (uA) | 100 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 50000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| PCB changed | 7 |
| Pin Count | 8 |
| PPAP | No |
| Process Technology | C3M |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | D2PAK |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 4 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 9.5@15V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 150@600V |
| Typical Rise Time (ns) | 6.5 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 11 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10.5 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 992 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды Шоттки»
Типы корпусов импортных диодов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
