FGHL50T65SQDT, IGBTs IGBT, 650 V, 50 A Field Stop Trench
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 580 руб.
от 10 шт. —
1 450 руб.
от 25 шт. —
1 120 руб.
от 100 шт. —
895.69 руб.
1 шт.
на сумму 1 580 руб.
Плати частями
от 395 руб. × 4 платежа
от 395 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
The ON Semiconductor IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 100 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±30.0V |
| Maximum Power Dissipation | 134 W |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 356 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
