C3M0350120D, SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-247-3, Industrial
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5970 шт., срок 5-7 недель
2 000 руб.
от 10 шт. —
1 630 руб.
от 30 шт. —
1 360 руб.
от 120 шт. —
1 174.51 руб.
1 шт.
на сумму 2 000 руб.
Плати частями
от 500 руб. × 4 платежа
от 500 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Lead Shape | Through Hole |
Material | SiC |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 7.6 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 455@15V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 1200 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 250 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | 15 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3.6 |
Maximum IDSS (uA) | 50 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 15 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 50000 |
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 20 |
Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 1.8 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Process Technology | C3M |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO |
Supplier Package | TO-247 |
Tab | Tab |
Typical Diode Forward Voltage (V) | 4.5 |
Typical Fall Time (ns) | 17 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 19@15V |
Typical Gate Plateau Voltage (V) | 6.8 |
Typical Gate Threshold Voltage (V) | 2.5 |
Typical Gate to Drain Charge (nC) | 9 |
Typical Gate to Source Charge (nC) | 5 |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 345@1000V |
Typical Output Capacitance (pF) | 20 |
Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 67 |
Typical Reverse Recovery Time (ns) | 26 |
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 3.4@1000V |
Typical Rise Time (ns) | 16 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 14 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 25 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 671 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.