QS6M4TR, MOSFETs N+P 30 20V 1.5A TSMT6
![Фото 1/2 QS6M4TR, MOSFETs N+P 30 20V 1.5A TSMT6](https://static.chipdip.ru/lib/540/DOC006540984.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/712/DOC035712765.jpg)
24923 шт., срок 5-7 недель
170 руб.
от 10 шт. —
150 руб.
от 100 шт. —
93 руб.
от 500 шт. —
74.53 руб.
1 шт.
на сумму 170 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Unclassified
МОП-транзистор N+P 30 20V 1.5A TSMT6
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 1.5 A |
Pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 260 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V, 20 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 18 ns, 12 ns |
Время спада | 18 ns, 12 ns |
Высота | 0.85 mm |
Длина | 2.9 mm |
Другие названия товара № | QS6M4 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 2 Channel |
Конфигурация | Dual |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
Продукт | MOSFET Small Signal |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | QS6M4 |
Технология | Si |
Тип | MOSFET |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
Типичное время задержки выключения | 15 ns, 45 ns |
Типичное время задержки при включении | 7 ns, 10 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-457T-6 |
Ширина | 1.6 mm |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N, P |
Forward Diode Voltage | 1.2V |
Maximum Continuous Drain Current | 1.5 A |
Maximum Drain Source Resistance | 430 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±12 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.7V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | TSMT-6 |
Pin Count | 6 |
Typical Gate Charge @ Vgs | 1.6 nC @ 4.5 V |
Width | 1.8mm |
Вес, г | 0.014 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.