CSD18513Q5AT, MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

390 руб.

от 10 шт. — 300 руб.

от 100 шт. — 219 руб.

от 250 шт. — 204.19 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 390 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8006266572

Артикул: CSD18513Q5AT

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

МОП-транзистор 40V N-Channel NexFET Power МОП-транзистор

Id - непрерывный ток утечки	100 A
Pd - рассеивание мощности	96 W
Qg - заряд затвора	59 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	4.1 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	40 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	12 ns
Время спада	4 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	NexFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	89 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	250
Серия	CSD18513Q5A
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	21 ns
Типичное время задержки при включении	6 ns
Торговая марка	Texas Instruments
Упаковка / блок	VSONP-8
Вес, г	0.0852

pdf, 633 КБ

Мы рекомендуем