STGW30NC60WD, IGBTs PowerMESH" IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
598 шт., срок 5-7 недель
1 400 руб.
от 10 шт. —
1 110 руб.
от 25 шт. —
978 руб.
от 100 шт. —
787.55 руб.
1 шт.
на сумму 1 400 руб.
Плати частями
от 350 руб. × 4 платежа
от 350 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Описание Транзистор БТИЗ STGW30NC60WD от производителя STMicroelectronics — высокомощный полупроводниковый компонент, предназначенный для эффективного управления мощной нагрузкой. Продукт имеет монтаж THT, обеспечивающий надежное соединение с печатной платой. С током коллектора в 60 А и напряжением коллектор-эмиттер в 600 В, этот IGBT транзистор способен выдержать мощность до 200 Вт. Компактный корпус TO247 удобен для монтажа и эксплуатации в различных электронных устройствах. Модель STGW30NC60WD характеризуется высокой эффективностью и долговечностью, что делает её идеальным выбором для промышленных и бытовых применений, требующих надежного управления мощными электрическими процессами. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
| Монтаж | THT |
| Ток коллектора, А | 60 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 600 |
| Мощность, Вт | 200 |
| Корпус | TO247 |
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.1 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 30 A |
| Continuous Collector Current Ic Max | 60 A |
| Factory Pack Quantity | 600 |
| Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
| Height | 20.15 mm |
| Length | 15.75 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 200 W |
| Product Category | IGBT Transistors |
| RoHS | Details |
| Series | 600-650V IGBTs |
| Technology | Si |
| Width | 5.15 mm |
| Вес, г | 38 |
Техническая документация
Datasheet STGW30NC60WD
pdf, 540 КБ
STGW30NC60WD
pdf, 530 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
