IKB40N65EF5ATMA1, IGBTs N

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 250 руб.

от 10 шт. — 970 руб.

от 25 шт. — 932 руб.

от 100 шт. — 711.71 руб.

1 шт. на сумму 1 250 руб.

Плати частями
от 314 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8006278357

Артикул: IKB40N65EF5ATMA1

Unclassified

The Infineon high speed fast switching insulated-gate bipolar transistor with full current rated rapid 1 fast and soft antiparallel diode.

Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	74 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20 V, ±30 V
Maximum Power Dissipation	250 W
Package Type	PG-TO263-3
Pin Count	3

pdf, 1537 КБ

Мы рекомендуем