DDTC114YUA-7-F, Digital Transistors PRE-BIAS NPN 200mW
![DDTC114YUA-7-F, Digital Transistors PRE-BIAS NPN 200mW](https://static.chipdip.ru/lib/540/DOC044540583.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
69 руб.
от 10 шт. —
46 руб.
от 100 шт. —
19 руб.
от 1000 шт. —
12.68 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 69 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Описание Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 10 кОм, 47 кОм Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 100mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@250uA, 5mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 68@5mA, 5V |
Power Dissipation (Pd) | 200mW |
Transistor Type | 1 NPN-Pre Biased |
Transition Frequency (fT) | 250MHz |
Вес, г | 0.005 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 437 КБ
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов