FDN359AN

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

160 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 99 руб.

от 10 шт. — 80 руб.

от 58 шт. — 63 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 320 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8006281821

Электроэлемент

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 2,7А, 0,5Вт, SuperSOT-3 Характеристики

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	2.7A(Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	480pF @ 10V
Manufacturer	ON Semiconductor
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging	Tape & Reel(TR)
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	500mW(Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	46mOhm @ 2.7A, 10V
Series	PowerTrenchВ®
Supplier Device Package	SuperSOT-3
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250ВµA
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	2.7 A
Maximum Drain Source Resistance	75 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	500 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	5 nC @ 5 V
Width	1.4mm
Вес, г	0.05