R8001CND3FRATL, MOSFETs 800V 1A TO-252, Automotive Power MOSFET with integrated ESD protection diode
![R8001CND3FRATL, MOSFETs 800V 1A TO-252, Automotive Power MOSFET with integrated ESD protection diode](https://static.chipdip.ru/lib/561/DOC006561115.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3521 шт., срок 5-7 недель
680 руб.
от 10 шт. —
540 руб.
от 100 шт. —
402 руб.
от 250 шт. —
346.17 руб.
1 шт.
на сумму 680 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 800V N-CH 1A POWER
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 1 A |
Pd - рассеивание мощности | 36 W |
Qg - заряд затвора | 7.2 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8.7 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5.5 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 21 ns |
Время спада | 137 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 33 ns |
Типичное время задержки при включении | 20 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | TO-252-3/2 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet R8001CND3FRATL
pdf, 2468 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.