R8001CND3FRATL, MOSFETs 800V 1A TO-252, Automotive Power MOSFET with integrated ESD protection diode

R8001CND3FRATL, MOSFETs 800V 1A TO-252, Automotive Power MOSFET with integrated ESD protection diode
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3521 шт., срок 5-7 недель
680 руб.
от 10 шт.540 руб.
от 100 шт.402 руб.
от 250 шт.346.17 руб.
1 шт. на сумму 680 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8006313293
Артикул: R8001CND3FRATL
Бренд: Rohm

Описание

Unclassified
МОП-транзистор 800V N-CH 1A POWER

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 1 A
Pd - рассеивание мощности 36 W
Qg - заряд затвора 7.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 8.7 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 800 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 5.5 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 21 ns
Время спада 137 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Максимальная рабочая температура + 150 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 2500
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 33 ns
Типичное время задержки при включении 20 ns
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка Reel, Cut Tape
Упаковка / блок TO-252-3/2
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet R8001CND3FRATL
pdf, 2468 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.